5LN01C-TB-E
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
5LN01C-TB-E datasheet
-
Маркировка5LN01C-TB-E
-
ПроизводительSanyo Semiconductor
-
ОписаниеON Semiconductor 5LN01C-TB-E RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 50 V Gate-Source Breakdown Voltage: 10 V Continuous Drain Current: 0.1 A Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-23 Fall Time: 105 ns Forward Transconductance gFS (Max / Min): 0.18 S Gate Charge Qg: 1.57 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 0.25 W Rise Time: 42 ns Typical Turn-Off Delay Time: 190 ns
-
Количество страниц7 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
26.05.2024
25.05.2024
24.05.2024